Skriv ut sida
IXFN200N10P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareIXYS SEMICONDUCTOR
Tillverkarens art.nr.IXFN200N10P
Orderkod1427322
ProduktsortimentPolar(TM) HiPerFET
Tekniskt datablad
378 I Lager
640 Nu kan du reservera lagervaror
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 271,280 kr |
| 5+ | 234,940 kr |
| 10+ | 198,610 kr |
| 50+ | 198,050 kr |
| 100+ | 197,380 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
271,28 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareIXYS SEMICONDUCTOR
Tillverkarens art.nr.IXFN200N10P
Orderkod1427322
ProduktsortimentPolar(TM) HiPerFET
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Transistor Case StyleISOTOP
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation680W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Product RangePolar(TM) HiPerFET
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktöversikt
The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
Tillämpningar
Power Management, Lighting
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Transistor Case Style
ISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
680W
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage
15V
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
Polar(TM) HiPerFET
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Germany
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Germany
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.03
Produktspårbarhet