Skriv ut sida
SIS892ADN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
30 671 I Lager
Behöver du fler?
1–3 dagars leverans
Beställ före 17:00 för standardleverans
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 12,510 kr |
| 10+ | 8,750 kr |
| 100+ | 6,950 kr |
| 500+ | 5,090 kr |
| 1000+ | 4,570 kr |
| 5000+ | 4,070 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
12,51 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIS892ADN-T1-GE3
Orderkod2283695
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktöversikt
The SIS892ADN-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for telecom brick, primary side switch and synchronous rectification applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Capable of operating with 5V gate drive
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Tillämpningar
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till SIS892ADN-T1-GE3
1 produkt hittades
Tillhörande produkter
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Taiwan
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Taiwan
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.00012
Produktspårbarhet