Skriv ut sida
SIS888DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 20.2 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIS888DN-T1-GE3
Orderkod3929251RL
ProduktsortimentThunderFET Series
Tekniskt datablad
14 184 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 9,540 kr |
| 500+ | 7,360 kr |
| 1000+ | 6,490 kr |
| 5000+ | 5,870 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
1 004,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIS888DN-T1-GE3
Orderkod3929251RL
ProduktsortimentThunderFET Series
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id20.2A
Drain Source On State Resistance0.058ohm
On Resistance Rds(on)0.048ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation52W
Power Dissipation Pd52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.058ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET Series
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.2A
On Resistance Rds(on)
0.048ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Power Dissipation Pd
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till SIS888DN-T1-GE3
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.001
Produktspårbarhet