Skriv ut sida
SIR510DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIR510DP-T1-RE3
Orderkod3677856
ProduktsortimentTrenchFET Gen V
Tekniskt datablad
7 346 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 20,700 kr |
| 10+ | 17,700 kr |
| 100+ | 12,910 kr |
| 500+ | 10,370 kr |
| 1000+ | 10,190 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
20,70 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIR510DP-T1-RE3
Orderkod3677856
ProduktsortimentTrenchFET Gen V
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id126A
Drain Source On State Resistance3000µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktöversikt
N-channel 100V (D-S) MOSFET in PowerPAK SO-8 package is typically used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter, OR-ing and hot swap switch, power supplies, motor drive control and battery management applications.
- TrenchFET® Gen V power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
- 100% Rg and UIS tested
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
126A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0005
Produktspårbarhet