Skriv ut sida
SIR470DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
9 947 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 27,190 kr |
| 10+ | 22,510 kr |
| 100+ | 17,050 kr |
| 500+ | 14,820 kr |
| 1000+ | 13,710 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
27,19 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIR470DP-T1-GE3
Orderkod2335403
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0023ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The SIR470DP-T1-GE3 is a 40VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for secondary side synchronous rectification and power supply applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Tillämpningar
Industrial, Power Management
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till SIR470DP-T1-GE3
5 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Taiwan
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Taiwan
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.001
Produktspårbarhet