Skriv ut sida
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
46 177 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Antal | |
---|---|
1+ | 11,240 kr |
10+ | 5,540 kr |
100+ | 5,020 kr |
500+ | 4,740 kr |
1000+ | 4,470 kr |
5000+ | 4,200 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
11,24 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIR422DP-T1-GE3
Orderkod1858994
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.0066ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktöversikt
The SIR422DP-T1-GE3 is a 40V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in synchronous rectification and point of load converter circuits. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Tillämpningar
Power Management
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0066ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till SIR422DP-T1-GE3
1 produkt hittades
Tillhörande produkter
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.002
Produktspårbarhet