Skriv ut sida
SIR106DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 65.8 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIR106DP-T1-RE3
Orderkod2846623RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Tekniskt datablad
889 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 12,020 kr |
| 500+ | 10,090 kr |
| 1000+ | 8,650 kr |
| 5000+ | 8,470 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
1 252,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIR106DP-T1-RE3
Orderkod2846623RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id65.8A
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.4V
Power Dissipation83.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktöversikt
SIR106DP-T1-RE3 is a N-Channel 100 V (D-S) MOSFET. Application includes synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converters, OR-ing, power supplies, motor drive control, battery and load switch.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
- 100 % Rg and UIS tested
- 100V minimum drain-source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 250μA)
- 0.0080 ohm maximum drain-source on-state resistance (VGS =10V, ID = 15A)
- 0.0090 ohm maximum drain-source on-state resistance (VGS = 7.5V, ID = 10A)
- 32nC typical total gate charge (VDS = 50V, VGS = 7.5V, ID = 15A)
- 65.8A maximum continuous source-drain diode current (TC = 25°C)
- PowerPAK SO-8 package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
65.8A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till SIR106DP-T1-RE3
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000074
Produktspårbarhet