Skriv ut sida
SIHG22N60E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
263 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 50,420 kr |
| 10+ | 32,160 kr |
| 100+ | 30,490 kr |
| 500+ | 27,600 kr |
| 1000+ | 21,810 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
50,42 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIHG22N60E-GE3
Orderkod2364080
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation227W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktöversikt
E series power MOSFET suitable for use in server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC), lighting (High-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting), industrial (welding, induction heating, motor drives, battery chargers, renewable energy and solar (PV inverters).
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qi
- Low input capacitance (Ciss)
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra-low gate charge (Qi)
- Avalanche energy rated (UIS)
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
227W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till SIHG22N60E-GE3
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.006
Produktspårbarhet