Skriv ut sida
SIDR638DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIDR638DP-T1-RE3
Orderkod3263508RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Tekniskt datablad
Tillgänglig för beställning
Standard ledtid för tillverkare: 37 vecka(or)
Meddela mig när artikeln finns i lager igen
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 21,810 kr |
| 500+ | 18,590 kr |
| 1000+ | 17,140 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
2 231,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIDR638DP-T1-RE3
Orderkod3263508RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance880µohm
On Resistance Rds(on)730µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation Pd125W
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktöversikt
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
880µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
125W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
730µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till SIDR638DP-T1-RE3
7 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.006
Produktspårbarhet