Skriv ut sida
SIDR570EP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 90.9 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIDR570EP-T1-RE3
Orderkod3954179RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen V Series
Tekniskt datablad
5 705 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 17,920 kr |
| 500+ | 14,800 kr |
| 1000+ | 13,470 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
1 842,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIDR570EP-T1-RE3
Orderkod3954179RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen V Series
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id90.9A
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Drain Source On State Resistance0.0079ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
Power Dissipation Pd150W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
90.9A
Drain Source On State Resistance
0.0079ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till SIDR570EP-T1-RE3
2 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Germany
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Germany
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000001
Produktspårbarhet