Skriv ut sida
SIA108DJ-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIA108DJ-T1-GE3
Orderkod3104153RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Tekniskt datablad
12 673 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 4,110 kr |
| 500+ | 3,350 kr |
| 1000+ | 3,040 kr |
| 5000+ | 2,550 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 5
461,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIA108DJ-T1-GE3
Orderkod3104153RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
On Resistance Rds(on)0.032ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd19W
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktöversikt
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
19W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.009
Produktspårbarhet