Skriv ut sida
SI2369BDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 7.5 A, 0.027 ohm, SOT-23, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SI2369BDS-T1-GE3
Orderkod3263505RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Tekniskt datablad
9 260 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 2,720 kr |
| 500+ | 2,070 kr |
| 1500+ | 1,840 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 5
322,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SI2369BDS-T1-GE3
Orderkod3263505RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Tekniskt datablad
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.5A
On Resistance Rds(on)0.0225ohm
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktöversikt
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0225ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till SI2369BDS-T1-GE3
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Israel
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Israel
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.004
Produktspårbarhet