Skriv ut sida
SI2308BDS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SI2308BDS-T1-GE3
Orderkod4320170
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.156ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.09W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.09W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.156ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (3)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Israel
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Israel
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000055
Produktspårbarhet