Skriv ut sida
SI2304DDS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
5 955 I Lager
6 000 Nu kan du reservera lagervaror
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 2,060 kr |
| 500+ | 1,810 kr |
| 1500+ | 1,540 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 5
256,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SI2304DDS-T1-GE3
Orderkod1858939RL
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.6A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation1.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
- 30V, 3.6A N-channel TrenchFET® power MOSFET in 3 pin TO-236 package
- 100 % Rg tested
- Suitable for DC/DC converter application
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till SI2304DDS-T1-GE3
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:United States
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:United States
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.00005
Produktspårbarhet