Skriv ut sida
IRF820PBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
6 205 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 8,260 kr |
| 10+ | 5,870 kr |
| 100+ | 5,640 kr |
| 500+ | 5,530 kr |
| 1000+ | 5,160 kr |
| 5000+ | 5,060 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
8,26 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.IRF820PBF
Orderkod8648514
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The IRF820PBF is a 500V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- 150°C Operating temperature
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
Tillämpningar
Power Management
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till IRF820PBF
2 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Mexico
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Mexico
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.002
Produktspårbarhet