Skriv ut sida
STW45N65M5
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.STW45N65M5
Orderkod2784047
ProduktsortimentMDmesh V
Tekniskt datablad
3 903 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 63,770 kr |
| 5+ | 55,540 kr |
| 10+ | 47,300 kr |
| 50+ | 43,520 kr |
| 100+ | 42,070 kr |
| 250+ | 40,510 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
63,77 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.STW45N65M5
Orderkod2784047
ProduktsortimentMDmesh V
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.067ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation210W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh V
Qualification-
Produktöversikt
- 650V, 35A N-channel MDmesh™ V power MOSFET in 3 pin TO-247 package
- Worldwide best RDS(on) area
- Higher VDSS rating and high dv/dt capability
- Excellent switching performance
- 100% avalanche tested
- Suitable for switching applications
- Based on innovative proprietary vertical process technology, PowerMESH™ horizontal layout structure
- Suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.067ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till STW45N65M5
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000002
Produktspårbarhet