Skriv ut sida
STW20NK50Z
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 17 A, 0.23 ohm, TO-247, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.STW20NK50Z
Orderkod9803890
ProduktsortimentSTW
Tekniskt datablad
1 183 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 36,440 kr |
| 10+ | 19,580 kr |
| 100+ | 18,930 kr |
| 500+ | 18,820 kr |
| 1000+ | 18,710 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
36,44 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Produktinformation
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.STW20NK50Z
Orderkod9803890
ProduktsortimentSTW
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.23ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTW
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The STW20NK50Z is a 500V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
Tillämpningar
Industrial
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.23ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STW
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Y-Ex
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.004309