Skriv ut sida
STW20N95K5
Power MOSFET, N Channel, 950 V, 17.5 A, 0.275 ohm, TO-247, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
2 192 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 67,440 kr |
| 5+ | 61,100 kr |
| 10+ | 54,640 kr |
| 50+ | 48,300 kr |
| 100+ | 41,850 kr |
| 250+ | 35,500 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
67,44 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.STW20N95K5
Orderkod2341733
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds950V
Continuous Drain Current Id17.5A
Drain Source On State Resistance0.275ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The STW20N95K5 is a 950V N-channel Power MOSFET developed using SuperMESH™ 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Worldwide best RDS (on)
- Worldwide best FOM (figure of merit)
- Ultra low gate charge
- 100% Avalanche tested
- Zener-protected
Tillämpningar
Industrial
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17.5A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
950V
Drain Source On State Resistance
0.275ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.006858