Skriv ut sida
STW13NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 13 A, 0.7 ohm, TO-247, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.STW13NK100Z
Orderkod1468006
ProduktsortimentSTW
Tekniskt datablad
1 843 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 93,840 kr |
| 5+ | 80,360 kr |
| 10+ | 66,760 kr |
| 50+ | 65,420 kr |
| 100+ | 64,090 kr |
| 250+ | 62,750 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
93,84 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.STW13NK100Z
Orderkod1468006
ProduktsortimentSTW
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.7ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation350W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTW
Qualification-
MSL-
Produktöversikt
The STW13NK100Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Very good manufacturing repeatability
Tillämpningar
Industrial, Power Management
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
350W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
0.7ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STW
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Nej
RoHS-kompatibel för ftalater:Väntar på råd
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.004309
Produktspårbarhet