Skriv ut sida
STFW4N150
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 4 A, 5 ohm, TO-3PF, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
359 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 66,540 kr |
| 5+ | 61,190 kr |
| 10+ | 55,840 kr |
| 50+ | 49,260 kr |
| 100+ | 42,580 kr |
| 250+ | 36,000 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
66,54 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.STFW4N150
Orderkod2098245
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleTO-3PF
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The STFW4N150 is a 1500V N-channel Power MOSFET developed using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure gives the lowest RDS (on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- 100% Avalanche tested
- Intrinsic capacitances and Qg minimized
- High speed switching
- High peak power
- High ruggedness capability
Tillämpningar
Industrial
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-3PF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:South Korea
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:South Korea
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.52
Produktspårbarhet