Skriv ut sida
STF8NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 6.5 A, 1.6 ohm, TO-220FP, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
4 462 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 58,100 kr |
| 10+ | 38,280 kr |
| 100+ | 33,830 kr |
| 500+ | 31,270 kr |
| 1000+ | 24,040 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
58,10 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.STF8NK100Z
Orderkod2098241
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id6.5A
Drain Source On State Resistance1.6ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktöversikt
The STF8NK100Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- Improved ESD capability
- Very low intrinsic capacitance
- 100% Avalanche tested
Tillämpningar
Industrial, Power Management
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.5A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Tillhörande produkter
2 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.002268