Skriv ut sida
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
2 502 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Antal | |
---|---|
1+ | 27,270 kr |
10+ | 18,360 kr |
100+ | 14,020 kr |
500+ | 12,580 kr |
1000+ | 12,130 kr |
5000+ | 10,650 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
27,27 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.STD3NK100Z
Orderkod2098170
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktöversikt
The STD3NK100Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, specialties is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding application. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
Tillämpningar
Industrial, Power Management
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000426
Produktspårbarhet