Skriv ut sida
STD2HNK60Z-1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
719 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 6,140 kr |
| 10+ | 5,970 kr |
| 100+ | 5,950 kr |
| 500+ | 5,770 kr |
| 1000+ | 5,490 kr |
| 5000+ | 5,380 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
6,14 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.STD2HNK60Z-1
Orderkod1317099
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance4.4ohm
Transistor Case StyleTO-251AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktöversikt
The STD2HNK60Z-1 is an N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using STMicroelectronics SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
- Gate charge minimized
- 100% avalanche tested
- Extremely high dv/dt capability
- ESD improved capability
- New high voltage benchmark
Tillämpningar
Industrial
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
TO-251AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
4.4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till STD2HNK60Z-1
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000743
Produktspårbarhet