Skriv ut sida
NTS4001NT1G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
Tillgänglig för beställning
Standard ledtid för tillverkare: 21 vecka(or)
Meddela mig när artikeln finns i lager igen
| Antal | |
|---|---|
| 3000+ | 0,671 kr |
| 9000+ | 0,661 kr |
Pris för:Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Flera: 3000
2 013,00 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.NTS4001NT1G
Orderkod2442263
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id270mA
Drain Source On State Resistance1.5ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation330mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktöversikt
NTS4001NT1G is a single N-channel small signal MOSFET. This device is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. It is used in applications such as low-side load switch, Li-ion battery-supplied devices, cell phones, PDAs, DSC, buck converters, and level shifts.
- Low gate charge for fast switching
- ESD protected gate
- 270mA continuous drain current
- 800mA pulse drain current
- Drain-to-source breakdown voltage is 30V minimum at (VGS = 0V, ID = 100µA)
- Gate-to-source leakage current is ±1µA maximum at (VDS = 0V, VGS = ±10V)
- Input capacitance is 20pF typical at (VGS = 0V, f = 1.0MHz, VDS = 5.0V)
- Turn-on delay time is 17ns typical at (VGS = 4.5V, VDD = 5V, ID = 10mA, RG = 50 ohm)
- Gate threshold temperature coefficient is -3.4mV/°C typical at ((TJ = 25°C)
- Junction temperature range from -55°C to 150°C, SC-70 package
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
270mA
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4V
Power Dissipation
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.001
Produktspårbarhet