Skriv ut sida
NTD5867NLT4G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
45 573 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Så långt lagret räcker
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 5,220 kr |
| 10+ | 5,140 kr |
| 100+ | 4,950 kr |
| 500+ | 4,750 kr |
| 1000+ | 4,560 kr |
| 5000+ | 4,360 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
5,22 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.NTD5867NLT4G
Orderkod1879964
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation36W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternativ till NTD5867NLT4G
3 produkter hittades
Produktöversikt
The NTD5867NLT4G from On Semiconductor is a surface mount, 60V N channel power MOSFET in DPAK package. This device features high current capability, low RDS (on) and avalanche tested thus resulting in minimal conduction losses, robust load performance and voltage overstress safeguard. This MOSFET is used for LED backlighting, DC to DC converter, motor driver and UPS inverter.
- Drain to source voltage (Vds) is 60V
- Gate to source voltage of ±20V(continuous)
- Continuous drain current (Id) is 20A
- Power dissipation (Pd) is 36W
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
- Gate threshold voltage of 1.8V
- Low on state resistance of 26mohm at Vgs 10V
Tillämpningar
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, LED Lighting, Motor Drive & Control
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
36W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (3)
Tillhörande produkter
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Vietnam
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Vietnam
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Y-Ex
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.00049
Produktspårbarhet