Skriv ut sida

NDS331N

Name: ONSEMI NDS331N
Brand: ONSEMI
SKU: 2336833
Availability: InStock

Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Surface Mount

Date/Lot Code

Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.

TillverkareONSEMI

Tillverkarens art.nr.NDS331N

Orderkod2336833

Tekniskt datablad

Data Sheet

Se alla tekniska dokument

Förpackningsalternativ

Klippt remsa

Omspolning

Hel rulle

285 000 I Lager

Behöver du fler?

FRI standardleverans

på beställningar över 0,00 kr

EXPRESSLEVERERANS möjligt

Beställ före kl. 17:00

Exakt leveranstid beräknas i kassan

Antal
3000+	1,410 kr
9000+	1,350 kr

Pris för:Each (Supplied on Full Reel)

Minimum: 3000

Flera: 3000

4 230,00 kr (exkl. Moms)

Lägg till artikelnummer / Radkommentar

Radkommentar

Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.

Dittt artikelnummer

Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.

Produktinformation

TillverkareONSEMI

Tillverkarens art.nr.NDS331N

Orderkod2336833

Tekniskt datablad

Data Sheet

Channel TypeN Channel

Drain Source Voltage Vds20V

Continuous Drain Current Id1.3A

Drain Source On State Resistance0.16ohm

Transistor Case StyleSuperSOT

Transistor MountingSurface Mount

Rds(on) Test Voltage4.5V

Gate Source Threshold Voltage Max700mV

Power Dissipation500mW

No. of Pins3Pins

Operating Temperature Max150°C

Product Range-

Qualification-

MSLMSL 1 - Unlimited

SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Produktöversikt

The NDS331N is a N-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance. Suited for low voltage applications in PCMCIA cards and other battery powered circuits where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

High density cell design for extremely low RDS (ON)
Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

Tillämpningar

Power Management, Computers & Computer Peripherals

Varningar

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Tekniska specifikationer

Channel Type

N Channel

Continuous Drain Current Id

1.3A

Transistor Case Style

SuperSOT

Rds(on) Test Voltage

4.5V

Power Dissipation

500mW

Operating Temperature Max

150°C

Qualification

SVHC

No SVHC (27-Jun-2024)

Drain Source Voltage Vds

20V

Drain Source On State Resistance

0.16ohm

Transistor Mounting

Surface Mount

Gate Source Threshold Voltage Max

700mV

No. of Pins

3Pins

Product Range

MSL

MSL 1 - Unlimited

Teknisk dokumentation (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

Lagstiftning och miljö

Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes

Tariffnr:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-kompatibelt:Ja

RoHS

RoHS-kompatibel för ftalater:Ja

RoHS

SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)

Hämta certifikat för produktefterlevnad

Certifikat för produktefterlevnad

Vikt (kg):.002

Produktspårbarhet