Skriv ut sida
FDS6612A
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
2 893 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Så långt lagret räcker
| Antal | |
|---|---|
| 500+ | 3,760 kr |
| 1000+ | 3,420 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 500
Flera: 5
1 930,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FDS6612A
Orderkod1467983RL
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8.4A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternativ till FDS6612A
1 produkt hittades
Produktöversikt
The FDS6612A is a single N-channel Logic Level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.4A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (3)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000127
Produktspårbarhet