Skriv ut sida
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
57 160 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Antal | |
---|---|
5+ | 6,740 kr |
50+ | 4,430 kr |
100+ | 3,210 kr |
500+ | 2,430 kr |
1500+ | 2,180 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flera: 5
33,70 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FDC655BN
Orderkod2101405
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6.3A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation800mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktöversikt
The FDC655BN is a logic level single N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimized ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Fast switching
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.3A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till FDC655BN
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000015