Skriv ut sida
NTMS4916NR2G.
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 9.4 A, 0.009 ohm, SO-8, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
Tillverkas inte längre
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.NTMS4916NR2G.
Orderkod3616510
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id9.4A
Drain Source On State Resistance0.009ohm
Transistor Case StyleSO-8
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.98W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.4A
Transistor Case Style
SO-8
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.98W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.1
Produktspårbarhet