Skriv ut sida
FDN358P
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
78 969 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | 5,650 kr |
| 10+ | 3,760 kr |
| 100+ | 2,930 kr |
| 500+ | 2,440 kr |
| 1000+ | 2,110 kr |
| 5000+ | 1,620 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flera: 5
28,25 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FDN358P
Orderkod9846328
Tekniskt datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.6A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation560mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktöversikt
The FDN358P is a P-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It comes with high power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion application.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 4nC typical low gate charge
Tekniska specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
560mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till FDN358P
2 produkter hittades
Tillhörande produkter
2 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000033
Produktspårbarhet