Skriv ut sida
FDN352AP
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
81 091 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | 5,680 kr |
| 10+ | 3,910 kr |
| 100+ | 2,710 kr |
| 500+ | 2,050 kr |
| 1000+ | 1,770 kr |
| 5000+ | 1,300 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flera: 5
28,40 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FDN352AP
Orderkod1467977
Tekniskt datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.3A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktöversikt
The FDN352AP is a P-channel Logic Level MOSFET produced using advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss is needed in a very small outline surface mount package.
- High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
Tekniska specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till FDN352AP
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.003175
Produktspårbarhet