Skriv ut sida
FDD9409-F085
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 90 A, 0.0023 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FDD9409-F085
Orderkod3003936
ProduktsortimentPowerTrench
Tekniskt datablad
2 228 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 16,250 kr |
| 10+ | 13,580 kr |
| 100+ | 10,570 kr |
| 500+ | 9,000 kr |
| 1000+ | 8,470 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
16,25 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FDD9409-F085
Orderkod3003936
ProduktsortimentPowerTrench
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance0.0023ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
QualificationAEC-Q101
Produktöversikt
FDD9409-F085 is a N-channel PowerTrench® MOSFET. Application includes automotive engine control, powertrain management, solenoid and motor drivers, electronic steering, integrated starter/alternator, distributed Power Architectures and VRM, primary switch for 12V systems.
- Drain-to-source on resistance is 2.3mohm(typ, TJ = 25°C, ID = 80A, VGS= 10V)
- 42nC typical total gate charge at 10V (VGS = 0 to 10V, VDD = 20V, ID = 80A)
- 40V minimum drain-to-source breakdown voltage (ID = 250μA, VGS = 0V)
- 1μA maximum drain-to-source leakage current (TJ = 25°C, VDS = 40V, VGS = 0V)
- Gate-to-source leakage current is ±100nA (maximum, VGS = ±20V)
- Input capacitance is 3130pF (typical, VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- Output capacitance is 756pF (typical, VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- Gate resistance is 2ohm (f = 1MHz, TJ = 25°C)
- Source-to-drain diode voltage is 1.25V (max, ISD = 80A, VGS = 0V)
- D-PAK(TO-252) package, operating and storage temperature range from -55 to + 175°C
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till FDD9409-F085
5 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Y-Ex
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0005
Produktspårbarhet