Skriv ut sida
FDD86102LZ
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
3 446 I Lager
2 500 Nu kan du reservera lagervaror
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | 16,250 kr |
| 50+ | 12,460 kr |
| 100+ | 9,740 kr |
| 500+ | 8,180 kr |
| 1000+ | 8,060 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flera: 5
81,25 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FDD86102LZ
Orderkod2083235
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.0225ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation54W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktöversikt
The FDD86102LZ is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and switching loss. The G-S Zener has been added to enhance ESD voltage level.
- Very low Qg and Qgd compared to competing Trench technologies
- Fast switching speed
- 100% UIL tested
- 6kV typical HBM ESD protection level
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
54W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0225ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till FDD86102LZ
1 produkt hittades
Tillhörande produkter
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Y-Ex
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0003
Produktspårbarhet