Skriv ut sida
FDA59N25
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
2 570 I Lager
900 Nu kan du reservera lagervaror
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 44,740 kr |
| 10+ | 24,260 kr |
| 100+ | 23,040 kr |
| 500+ | 21,810 kr |
| 1000+ | 21,370 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
44,74 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FDA59N25
Orderkod1228352
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id59A
Drain Source On State Resistance0.049ohm
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation392W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktöversikt
The FDA59N25 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- 63nC typical low gate charge
- 70pF typical low Crss
- 100% avalanche tested
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
59A
Transistor Case Style
TO-3P
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
392W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.049ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Y-Ex
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.005
Produktspårbarhet