Skriv ut sida
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
47 920 I Lager
8 000 Nu kan du reservera lagervaror
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Antal | |
---|---|
1+ | 16,690 kr |
10+ | 7,500 kr |
100+ | 6,980 kr |
500+ | 6,010 kr |
1000+ | 5,440 kr |
5000+ | 5,330 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
16,69 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.BUZ11-NR4941
Orderkod2453387
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktöversikt
The BUZ11_NR4941 is a 50V N-channel Power MOSFET designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. This type can be operated directly from integrated circuits. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Nanosecond switching speed
- Linear transfer characteristics
- High input impedance
- 170ns Fall time
Tillämpningar
Signal Processing, Industrial, Motor Drive & Control
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Y-Ex
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.003629
Produktspårbarhet