Skriv ut sida
2N7002WT1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
31 543 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 500+ | 0,587 kr |
| 1500+ | 0,499 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 500
Flera: 5
343,50 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.2N7002WT1G
Orderkod2533171RL
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id340mA
Drain Source On State Resistance1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation330mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktöversikt
The 2N7002WT1G is a N-channel small signal Power MOSFET ideal for low power applications. It offers 60V drain source voltage and 310mA continuous drain current. It is suitable for low side load switch, level shift circuits, DC-to-DC converter, DSC and PDA applications.
- Low RDS (ON)
- Small footprint surface-mount package
- Halogen-free
- ESD Protected
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Tillämpningar
Portable Devices, Consumer Electronics, Power Management, Industrial
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
340mA
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till 2N7002WT1G
1 produkt hittades
Tillhörande produkter
2 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.004536