Skriv ut sida
PSMN4R8-100BSEJ
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
19 959 I Lager
Behöver du fler?
1–3 dagars leverans
Beställ före 17:00 för standardleverans
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 37,930 kr |
| 10+ | 27,110 kr |
| 100+ | 22,520 kr |
| 500+ | 19,240 kr |
| 1000+ | 18,910 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
37,93 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareNEXPERIA
Tillverkarens art.nr.PSMN4R8-100BSEJ
Orderkod2281226
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.0041ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation405W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The PSMN4R8-100BSE is a N-channel standard level MOSFET offers very low RDS (ON) for low conduction losses. The device complements the latest hot-swap controllers - robust enough to withstand substantial inrush currents during turn ON, whilst offering a low RDS (ON) characteristic to keep temperatures down and efficiency up in continued use. Ideal for telecommunication systems based on a 48V backplane/supply rail.
- Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation
- -55 to 175°C Junction temperature range
Tillämpningar
Power Management, Communications & Networking, Industrial
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
405W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (1)
Alternativ till PSMN4R8-100BSEJ
8 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Y-Ex
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.031751
Produktspårbarhet