Skriv ut sida
PMXB40UNEZ
Power MOSFET, N Channel, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
15 086 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | 4,800 kr |
| 50+ | 2,690 kr |
| 250+ | 1,910 kr |
| 1000+ | 1,120 kr |
| 3000+ | 1,070 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flera: 5
24,00 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareNEXPERIA
Tillverkarens art.nr.PMXB40UNEZ
Orderkod2498585
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source On State Resistance0.034ohm
Transistor Case StyleDFN1010D
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max650mV
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The PMXB40UNE is a N-channel enhancement-mode FET in a leadless ultra-small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in high-side load switch and charging switch for portable devices, power management in battery driven portables, LED driver and DC-to-DC converter applications.
- Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
- 1.5kV ESD protection HBM
- 34mΩ Very low Drain-Source ON-state resistance RDS (ON)
- Very low threshold voltage of 0.65V for portable applications
- -55 to 150°C Junction temperature range
Tillämpningar
Power Management, Portable Devices, LED Lighting, Industrial
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
Transistor Case Style
DFN1010D
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
650mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000006
Produktspårbarhet