Skriv ut sida
PMV37ENEAR
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 3.5 A, 0.049 ohm, TO-236AB, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
3 I Lager
15 000 Nu kan du reservera lagervaror
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 2,090 kr |
| 500+ | 1,980 kr |
| 1500+ | 1,880 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 5
259,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareNEXPERIA
Tillverkarens art.nr.PMV37ENEAR
Orderkod3212678RL
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source On State Resistance0.049ohm
On Resistance Rds(on)0.037ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation Pd710mW
Power Dissipation710mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktöversikt
The PMV37ENEAR from NEXPERIA is a N Channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device plastic package using Trench MOSFET technology.
- Suitable for relay driver, high speed line driver, low-side load switch and switching circuits
- Logic-level compatible
- Trench MOSFET technology
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection <gt/>2 kV HBM (class H2)
- AEC-Q101 qualified
Tillämpningar
Medical
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.049ohm
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
710mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
On Resistance Rds(on)
0.037ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation
710mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000006