Skriv ut sida
PMV100EPAR
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2.2 A, 0.13 ohm, SOT-23, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
6 431 I Lager
3 000 Nu kan du reservera lagervaror
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 2,240 kr |
| 500+ | 1,850 kr |
| 1500+ | 1,610 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 5
274,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareNEXPERIA
Tillverkarens art.nr.PMV100EPAR
Orderkod3438542RL
Tekniskt datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation710mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktöversikt
The PMV100EPAR from NEXPERIA is a P Channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) surface mounted device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Suitable application: relay driver, high speed line driver, high side load switch and switching circuits
- Logic-level compatible
- Trench MOSFET technology
- Very fast switching
- AEC-Q101 qualified
Tekniska specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
710mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000038
Produktspårbarhet