Skriv ut sida
TP2104N3-G
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 175 mA, 6 ohm, TO-92, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
1 407 I Lager
Behöver du fler?
1–3 dagars leverans
Beställ före 17:00 för standardleverans
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 8,200 kr |
| 25+ | 6,720 kr |
| 100+ | 6,190 kr |
| 1000+ | 6,080 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
8,20 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareMICROCHIP
Tillverkarens art.nr.TP2104N3-G
Orderkod2775067
Tekniskt datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id175mA
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation740mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown
- Suitable for logic level interfaces (ideal for TTL and CMOS), solid state relays, battery operated systems, photo voltaic drives, analogue switches etc..
- High input impedance and high gain
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- Free from secondary breakdown
Tekniska specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
175mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
740mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Thailand
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Thailand
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0002
Produktspårbarhet