Skriv ut sida
LND150N3-G
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
832 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 6,470 kr |
| 25+ | 5,610 kr |
| 100+ | 4,960 kr |
| 1000+ | 4,860 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
6,47 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareMICROCHIP
Tillverkarens art.nr.LND150N3-G
Orderkod2450521
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id30mA
Drain Source On State Resistance1000ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation740mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktöversikt
The LND150N3-G is a 500V High Voltage N-channel Depletion Mode (normally-on) Transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
- Free from secondary breakdown
- Low power drive requirement
- Easy to parallel
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- High input impedance and low CISS
- ESD gate protection
Tillämpningar
Power Management
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
740mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
1000ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.00025
Produktspårbarhet