Skriv ut sida
IXTP3N120
Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
238 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 77,590 kr |
| 5+ | 67,980 kr |
| 10+ | 58,250 kr |
| 50+ | 48,630 kr |
| 100+ | 47,640 kr |
| 250+ | 46,640 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
77,59 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareIXYS SEMICONDUCTOR
Tillverkarens art.nr.IXTP3N120
Orderkod1427369
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance4.5ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktöversikt
The IXTP3N120 is a high voltage N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and rated for unclamped inductive load switching (UIS).
- High dV/dt
- International standard package
- Low RDS (ON)
- UL94V-0 Flammability rating
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Tillämpningar
Industrial, Power Management
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
4.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Germany
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Germany
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.004
Produktspårbarhet