Skriv ut sida
SPP17N80C3XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-220, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.SPP17N80C3XKSA1
Orderkod2480724
Även kalladSPP17N80C3, SP000683164
Tekniskt datablad
119 I Lager
500 Nu kan du reservera lagervaror
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 35,590 kr |
| 10+ | 35,480 kr |
| 100+ | 22,060 kr |
| 500+ | 20,510 kr |
| 1000+ | 19,740 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
35,59 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.SPP17N80C3XKSA1
Orderkod2480724
Även kalladSPP17N80C3, SP000683164
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.29ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation227W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The SPP17N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is designed for high DC bulk voltage and switching applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Improved transconductance
- Periodic avalanche rated
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
Tillämpningar
Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Management
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
227W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.29ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (1)
Alternativ till SPP17N80C3XKSA1
2 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.002008