Skriv ut sida
IRLML6401TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRLML6401TRPBF
Orderkod1463267
ProduktsortimentHEXFET Series
Även kalladSP001577044
Tekniskt datablad
134 326 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | 4,230 kr |
| 50+ | 2,370 kr |
| 250+ | 1,520 kr |
| 1000+ | 1,170 kr |
| 3000+ | 0,943 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flera: 5
21,15 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRLML6401TRPBF
Orderkod1463267
ProduktsortimentHEXFET Series
Även kalladSP001577044
Tekniskt datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4.3A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max550mV
Power Dissipation1.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The IRLML6401TRPBF is a -12V single P-channel HEXFET Power MOSFET, compatible with existing surface mount techniques. This MOSFET features increased reliability and easier manufacturing.
- Halogen-free
- MSL1, Industrial qualification
- Multi-vendor compatibility
- Environmentally-friendly
- Trench MOSFET technology
- ±8V Gate to source voltage
- 0.01W/°C Linear derating factor
Tillämpningar
Power Management
Tekniska specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
550mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Teknisk dokumentation (3)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.13
Produktspårbarhet