Skriv ut sida
IRLML5103TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRLML5103TRPBF
Orderkod1463265RL
Även kalladSP001572946
Tekniskt datablad
19 629 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 1,770 kr |
| 500+ | 1,410 kr |
| 1000+ | 1,270 kr |
| 5000+ | 0,996 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 5
227,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRLML5103TRPBF
Orderkod1463265RL
Även kalladSP001572946
Tekniskt datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id600mA
Drain Source On State Resistance0.6ohm
Transistor Case StyleµSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation540mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktöversikt
The IRLML5103TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation.
- Generation V technology
- Low profile (<lt/>1.1mm)
- Fast switching
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rating
- Halogen-free
Tillämpningar
Power Management, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Industrial
Tekniska specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
600mA
Transistor Case Style
µSOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
540mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (3)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.13
Produktspårbarhet