Skriv ut sida
IRFZ44NPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRFZ44NPBF
Orderkod8650225
ProduktsortimentHEXFET Series
Även kalladSP001565354
Tekniskt datablad
390 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 15,580 kr |
| 10+ | 6,900 kr |
| 100+ | 6,640 kr |
| 500+ | 5,120 kr |
| 1000+ | 4,350 kr |
| 5000+ | 3,850 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
15,58 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRFZ44NPBF
Orderkod8650225
ProduktsortimentHEXFET Series
Även kalladSP001565354
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source On State Resistance0.0175ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation94W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
Produktöversikt
The IRFZ44NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Advanced process technology
Tillämpningar
Power Management
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
41A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
94W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.0175ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Teknisk dokumentation (3)
Alternativ till IRFZ44NPBF
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.002
Produktspårbarhet