Skriv ut sida
12 714 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Så långt lagret räcker
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 14,690 kr |
| 500+ | 14,470 kr |
| 1000+ | 14,130 kr |
| 5000+ | 13,910 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
1 519,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRFR3504ZTRPBF
Orderkod2725961RL
ProduktsortimentHEXFET
Även kalladSP001556956
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.009ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
Alternativ till IRFR3504ZTRPBF
4 produkter hittades
Produktöversikt
Single N-channel HEXFET® power MOSFET ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters and DC-DC converters.
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Product qualification according to JEDEC standard
- Standard pinout allows for drop in replacement
- Industry standard qualification level
- High performance in low frequency applications
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0004
Produktspårbarhet