Skriv ut sida
IRFP250NPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRFP250NPBF
Orderkod8649260
ProduktsortimentHEXFET Series
Även kalladSP001554946
Tekniskt datablad
4 276 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 36,810 kr |
| 10+ | 22,060 kr |
| 100+ | 19,740 kr |
| 500+ | 14,970 kr |
| 1000+ | 14,640 kr |
| 5000+ | 14,300 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
36,81 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRFP250NPBF
Orderkod8649260
ProduktsortimentHEXFET Series
Även kalladSP001554946
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The IRFP250NPBF is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-247AC package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, ease of Paralleling, rugged, fast switching, simple drive requirements and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 200V
- Gate to source voltage of ±20V
- On resistance Rds(on) of 75mohm at Vgs 10V
- Power dissipation Pd of 214W at 25°C
- Continuous drain current Id of 30A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Teknisk dokumentation (3)
Alternativ till IRFP250NPBF
2 produkter hittades
Tillhörande produkter
2 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Mexico
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Mexico
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.007167
Produktspårbarhet