Skriv ut sida
IRFI4110GPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 72 A, 4500 µohm, TO-220FP, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRFI4110GPBF
Orderkod1888169
ProduktsortimentHEXFET Series
Även kalladSP001556598
Tekniskt datablad
4 924 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Så långt lagret räcker
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 46,780 kr |
| 10+ | 34,380 kr |
| 100+ | 33,070 kr |
| 500+ | 31,660 kr |
| 1000+ | 31,000 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
46,78 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRFI4110GPBF
Orderkod1888169
ProduktsortimentHEXFET Series
Även kalladSP001556598
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id72A
Drain Source On State Resistance4500µohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation61W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Alternativ till IRFI4110GPBF
1 produkt hittades
Produktöversikt
The IRFI4110GPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
- Halogen-free
Tillämpningar
Power Management, Industrial
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
72A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
61W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4500µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Tillhörande produkter
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.00195